最新电大《光伏电池材料》形考作业任务01-04网考试题及答案

最新电大《光伏电池材料》形考作业任务01-04网考试题及答案 100%通过 考试说明：《光伏电池材料》形考共有4个任务。任务1至任务4是客观题，任务1至任务4需在考试中多次抽取试卷，直到出现01任务_0001、02任务_0001、03任务_0001、04任务_0001试卷，就可以按照该套试卷答案答题。做考题时，利用本文档中的查找工具，把考题中的关键字输到查找工具的查找内容框内，就可迅速查找到该题答案。本文库还有其他教学考一体化答案，敬请查看。

　 01任务 01任务_0001 一、单项选择题（共10道试题，共20分。）
1. 关于四氯化硅以下说法错误的是（）
A.无色而有刺鼻气味的液体 B.熔点-70℃，沸点57.6℃ C.可以经吸入、食入、经皮吸收，对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用 D.不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂 2. 观察晶体中位错最简单的方法是（）。

A.浸蚀观察法 B.透射电镜法 C.手触感觉法 D.肉眼观察法 3. 室温一个大气压下，液态水的自由度为（）。

A.1 B.2 C.3 D.0 4. 西门子法作为硅的提纯工艺，所用的原料主要是（）
A.99.9999%（6个9）的为太阳能级硅 B.99.999999999%（11个9）的为电子级硅 C.95%-99%的冶金级硅 D.P型硅半导体 5. 二元相图通常采用（）的坐标系。

A.温度-压力（T-p）图 B.温度-浓度（T-x）图 C.三棱柱模型 D.压强-浓度（p-x）图 6. 关于硅单质说法错误的是（）。

A.原子晶体，是深灰色而带有金属光泽的晶体 B.熔点为1420℃，沸点为2355℃ C.在常压下具有金刚石型结构 D.具有类似金属的塑性 7. 以下（）不是自然界中的硅同位素。

A.28Si B.29Si C.30Si D.32Si 8. 关于二氧化硅以下说法错误的是（）
A.制造冶金硅的主要原料之一 B.能与HF反应 C.SiO2不溶于水，但能于热的浓碱溶液反应生成硅酸盐，反应较快 D.石英是地壳中分布很少的矿物 9. 杂质原子与基体原子尺寸相当，容易形成（）
A.空位 B.置换原子 C.间隙原子 D.位错 10. 关于位错密度说法错误的是（）。

A.是单位体积晶体中所包含的位错线总长度 B.也可理解为穿越单位截面积的位错线的数目 C.位错密度大或小，相应材料的力学性能均较佳 D.通常情况下制得位错密度较小的材料 二、判断题（共10道试题，共20分。）
1. 在绝对温度零度和无外界激发的条件下，硅晶体没有自由电子存在，完全不导电。

A.错误 B.正确 2. 可很方便制备得到位错很少的多晶硅片。

A.错误 B.正确 3. 硅晶体的半导体性源于共价键。

A.错误 B.正确 4. 点缺陷的平衡浓度随温度升高呈指数关系增加。

A.错误 B.正确 5. 硅在地壳中的丰度为25.90%，仅次于氧，硅的含量在所有元素中居第二位。

A.错误 B.正确 6. 柏氏矢量说明了畸变发生在什么晶向，是一个没有大小的量。

A.错误 B.正确 7. 内能是随缺陷增加而增加的，所以空位越多越不稳定。

A.错误 B.正确 8. 硅烷就是甲硅烷。

A.错误 B.正确 9. 硅是通过自由电子导电的，所以载流子就是自由电子。

A.错误 B.正确 10. 刃型位错和螺型位错的判断可以通过晶体发生局部滑移的方向是与位错线垂直还是平行来区分。

A.错误 B.正确 三、连线题（共10道试题，共30分。）
1. 将晶体的特性与解释一一对应。

（1）各向异性A.晶体常具有沿某些确定方位的晶面劈裂的性质 （2）长程有序B.粒子排列具有三维周期性、对称性 （3）解理性C.在不同方向上，晶体的物理性质不同，如电阻率、导电性能、导热性能、介电常数、光的折射、弹性、硬度等 （1）C （2）B （3）A 2. 将晶体结构与晶胞中原子数一一对应。

（1）简单立方结构A.4 （2）体心立方结构B.2 （3）面心立方结构C.1 （1）C （2）B （3）A 3. 将各种硅化合物与描述一一对应。

（1）二氧化硅A.沸点31.5℃，室温下无色透明液体 （2）三氯氢硅B.可以从河砂中水洗去掉粘土等杂质和进行筛分得到 （3）四氯化硅C.在潮湿空气中与水蒸气发生水解作用会产生烟雾 （1）B （2）A （3）C 4. （1）A （2）B （3）C 5. 将硅材料与描述一一对应。

（1）电子级硅A.99.9999% （2）冶金级硅B.99.999999999% （3）太阳能级硅C.95%-99% （1）B （2）C （3）A 6. 将晶体生长方式与实例一一对应。

（1）固相生长A.水汽凝结为冰晶 （2）液相生长B.盐水溶液结晶 （3）汽相生长C.石墨在高温高压的条件下转变为金刚石 （1）C （2）B （3）A 7. 将各种硅化合物与作用一一对应。

（1）二氧化硅A.可作为西门子法提纯硅材料的中间产物 （2）三氯氢硅B.制造冶金硅的主要原料之一 （3）甲硅烷C.大量地用于制高纯硅，高温易热解 （1）B （2）A （3）C 8. 将各类晶体缺陷与实例一一对应。

（1）点缺陷A.位错 （2）线缺陷B.空位 （3）面缺陷C.相界 （1）B （2）A （3）C 9. 将硅的用途与性质一一对应。

（1）二极管A.通过掩蔽、光刻、扩散等工艺，可在一个或几个很小的硅晶片上集结成一个或几个完整的电路 （2）集成电路B.可以把光能转化成电能 （3）光电池C.制成晶体二极管后即能整流又能检波 （1）C （2）A （3）B 10. 将各种硅化合物与熔沸点一一对应。

（1）四氯化硅A.熔点-185℃，沸点-111.8℃ （2）三氯氢硅B.熔点-70℃，沸点57.6℃ （3）甲硅烷C.熔点-128℃，沸点31.5℃ （1）B （2）C （3）A 四、不定项选择题（共10道试题，共30分。）
1. 关于硅的电阻率说法错误的是（）。

A.在高纯硅中掺入极微量的电活性杂质，其电阻率会显著下降 B.硅的电导率对外界因素（如光、热、磁等）高度敏感 C.N型半导体中也有自由电子，但数量很少，称为少数载流子 D.N型半导体和P型半导体的导电能力都比本征半导体大得多 2. 关于石英说法错误的是（）。

A.与晶体硅一样是原子晶体 B.每个硅原子以SP3杂化形式同四个氧原子结合，形成SiO4四面体结构单元 C.由一个个的简单SiO2分子组成 D.石英砂开采、加工成本较低 3. 下列属于晶体的宏观特性的有（）
A.长程有序 B.固定熔点 C.解理性 D.各向异性 4. 金刚石结构的晶胞中原子数为（），配位数为（）。

A.4、4 B.8、4 C.8、8 D.12、4 5. 两侧晶粒位向差为1°的晶界属于（）。

A.亚晶界 B.小角度晶界 C.大角度晶界 D.刃位错 6. 不能用于区分晶体与非晶体的是（）
A.原子排练是否有序 B.是否具有确定的熔点 C.密度的大小 D.熔点的高低 7. 关于固溶体与中间相说法错误的是（）。

A.某一组元作为溶剂，其他组元为溶质，所形成的与溶剂有相同晶体结构、晶格常数稍有变化的固相，称为固溶体 B.形成的新相的晶体结构不同于任一组元，新形成的固相叫中间相 C.固熔体一般具有较高的熔点及硬度 D.Cu-Ni合金属于中间相 8. 关于临界晶核说法错误的是（）。

A.当晶胚的尺寸小于临界晶核，晶胚不稳定，难以长大，最终熔化而消失 B.晶胚的尺寸大于临界晶核，晶胚就成为稳定的晶核而后继续长大 C.均匀形核与非均匀形核的临界晶核大小不同 D.临界半径与过冷度ΔT无关 9. 关于硅的卤化物说法错误的是（）。

A.都是无色的 B.都是共价化合物 C.一般都是无毒的 D.熔点、沸点都比较低 10. 解理面通常是晶面间距较大的晶面。在金刚石结构中，下面晶面的晶面间距最大的是（）。

A.{111} B.{100} C.{110} D.{120} 02任务 02任务_0001 一、单项选择题（共10道试题，共20分。）
1.关于采用区域提纯法去除硅中硼杂的区域提纯杂质描述正确的是（）
A.几乎无法效果去除 B.效果一般完全去除 C.取决于温度效果显著 D.取决于硼的含量 2.占据晶格间隙位置的杂质原子为（）。

A.间隙杂质原子 B.替位杂质原子 C.本征点缺陷 D.原生长缺陷 3. 在工业硅的生产炉中，温度在2000℃以上的部分，（）。

A.只有熔炼过程中生成的SiC B.底下是SiC，其上面是产品工业硅 C.全部都是产品工业硅 D.以上皆不是 4.生产直拉单晶硅生产时，单晶炉内需要通入（）作为保护气体炉体内通常是（）。

A.常压的空气 B.氧气低压的空气 C.低压的氩气 D.低压的氮气氢气 5.太阳电池用直拉单晶硅中的主要缺陷是（）。

A.空位 B.杂质原子 C.位错 D.二次缺陷 6.金刚石结构的晶体中位错滑移最容易产生的滑移面是（）。

A.{110}面 B.{111}面 C.{100}面 D.{101}面 7.Dash工艺主要解决的是（）。

A.加入转晶 B.减少缺陷（位错）
C.放肩 D.热应力 8.CZ法生长单晶硅工艺依次有加料、熔化以及（）。

A.放肩生长、缩颈生长、等径生长、尾部生长 B.等径生长、缩颈生长、放肩生长、尾部生长 C.缩颈生长、放肩生长、等径生长、尾部生长 D.缩颈生长、等径生长、放肩生长、尾部生长 9.吸附时不发生任何化学变化，是（）。

A.化学吸附 B.不可逆过程 C.物理吸附 D.以上皆不是 10.区熔法制备单晶硅时，需要（）。

A.不需要坩埚 B.需要一个石英坩埚用于溶化 C.需要一个石英坩埚和一个石墨坩埚 D.需要一个石墨坩埚 二、不定项选择题（共10道试题，共30分。）
1.关于对czCZ法和fzFZ法说法描述正确的是（）。

A.生长时都需借助要采用籽晶 B.熔化时都需要采用坩埚 C.都需要采用真空气氛保护 D.都需要使用缩颈工艺 2.磷在硅中很容易去除，在于（）。

A.磷在硅熔液中很快得到蒸发 B.磷的密度小 C.磷在硅中的分配系数小于1 D.磷的熔点低 3.无坩埚区域提纯（）。

A.也可用于晶体生长 B.避免了坩埚的污染 C.熔硅不会流动是由于其很大的表面张力 D.硅也能采用水平区域提纯法 4.化学法提纯高纯多晶硅的工艺包括（）。

A.中间化合物的合成 B.中间化合物的分离提纯 C.中间产物被还原或者是分解成高纯硅还原成高纯硅 D.区域提纯 5.关于完全互溶的A、B双组分的溶液与其混合蒸汽所组成的相图，说法正确的是（）。

A.被两条曲线分为三个区域 B.降温到液相线上，正好产生第一个气泡，故液相线又称为泡点曲线 C.升温到气相线上，正好产生第一个气泡，故气相线又称为泡点曲线 D.降温到液相线，产生第一个液滴，故液相线称为露点曲线 6.关于晶转说法正确的是（）。

A.晶体和坩埚的旋转方向相同，以改善热场的对称性 B.吊索和晶体出现共振时效果最好 C.过高的晶转会使固液界的形状太凹 D.在某些晶转下，棱线或者小平面与直径的读取同步，引起直径的读值和拉速的大幅度跳动 7.具有金刚石结构的的晶体中的解理面包括位错线的优先方向为（）。

A.{100}<110>晶向晶面族 B.{211}〈211〉晶面族晶向 C.{111}晶面族〈111〉晶向 D.〈210〉晶向{110}晶面族 8.直拉单晶炉的主室包括（）。

A.石英坩埚 B.石墨坩埚 C.石墨加热器 D.热绝缘筒和地盘 9.工业吸附对于吸附剂的要求包括（）。

A.具有较大的内表面，吸附容量大 B.选择性高 C.具有一定的机械强度，抗磨损 D.有良好的物理及化学性能，耐热冲击，耐腐蚀 10.以下对吸附描述正确的是升温和降压有助于（）。

A.物理．吸附的进行吸附是可逆的 B.脱咐的进行物理吸附是不可逆的 C.升温对于物理吸附影响很小化学吸附是可逆的 D.化学吸附是不可逆的降压只是让水蒸气更容易挥发 三、判断题（共10道试题，共20分。）
1.FZ硅占领了85%以上的硅单晶市场。

A.错误 B.正确 2.冶金法制备高纯多晶硅与改良西门子法相比，前者的成本更低，但是电耗更多。

A.错误 B.正确 3.只通过湿法冶金技术来提纯硅材料，是很难将工业硅提纯到满足制作太阳能电池所需的要求。

A.错误 B.正确 4.化学吸附是放热过程，而物理吸附是吸热过程。

A.错误 B.正确 5.改良西门子法是一个闭路循环系统，多晶硅生产中的各种无聊得到充分的利用，排出的废料极少。

A.错误 B.正确 6.改良西门子法能对产生的氢气、氯化氢、氯硅烷等副产物进行回收利用。

A.错误 B.正确 7.硅是自然界分布最广泛的元素之一，是介于金属和非金属之间的半金属。

A.错误 B.正确 8.分子筛具有极性，对非极性分子具有较强的亲和力。

A.错误 B.正确 9.MCZ法磁致粘滞性控制了流体的运动，也减少了熔体的温度波动。

A.错误 B.正确 10.改良西门子法的原料主要是硅石。

A.错误 B.正确 四、连线题（共10道试题，共30分。）
1. 将化学反应与作用一一对应。

（1）SiHCl3+H2→Si+3HClA.中间产物的合成 （2）Si+3HCl→SiHCl3+H2B.工业硅的合成 （3）3SiO2+2SiC=Si+4SiO↑+2CO↑C.中间产物的还原 （1）C （2）A （3）B 2. 将元素及其在硅熔体中的分凝系数一一对应。

（1）OA.1.25 （2）CB.0.07 （3）BC.0.8 （1）A （2）B （3)C 3. 将Cz法中的设备与描述一一对应。

（1）石英坩埚A.底部比较厚，以起到较好的绝热效果 （2）石墨坩埚B.电阻会随着使用次数的增加而升高 （3）石墨加热器C.纯度和耐热性能要求很搞 （1）C （2）A （3）B 4. 将工业硅生产过程中的注意事项与作用一一对应。

（1）保持适宜的SiO2与碳的分子比A.避免炉内过热造成硅的挥发或再氧化生成SiO （2）保证反应区有足够高的温度B.分解生成的SiC使反应向有利于生成硅的方向进行 （3）及时捣炉，帮助沉料C.防止过多的SiC生成 （1）C （2）B （3）A 5. 将氧的存在方式及其描述一一对应。

（1）热施主A.热处理温度处于550～850℃ （2）新施主B.处理温度处于300～500℃ （3）氧沉淀C.适当的温度下进行热处理时会脱溶 （1）B （2）A （3）C 6. 将FZ单晶硅中的杂质与描述一一对应。

（1）OA.危害大 （2）CB.浓度低，影响小 （3）NC.增强机械性能 （1）A （2）B （3）C 7. 将工艺与提纯方法一一对应。

（1）硅烷法A.精馏 （2）改良西门子法B.吸附 （3）冶金C.物理提纯 （1）B （2）A （3）C 8. 将Cz法中的工艺与描述一一对应。

（1）缩颈生长A.减少位错 （2）放肩生长B.硅片取材的部位 （3）等径生长C.肩部夹角接近180°，这样可以提高多晶硅的利用率 （1）A （2）C （3）B 9. 将工业硅的应用与用量一一对应。

（1）生产合金A.5% （2）有机硅B.40% （3）半导体器件和太阳能电池C.55% （1）C （2）B （3）A 10. 将吸附的设备与工艺一一对应。

（1）流体和固体吸附剂置于同一容器内A.半连续操 （2）固定吸附床B.连续操作 （3）移动吸附器C.间歇操作 （1）C （2）A （3）B 03任务 03任务_0001 一、单项选择题（共10道试题，共20分。）
1. 硅片中磷扩散进行掺杂的原料是（）。

A.PH3 B.PH5 C.POCl3 D.B2O3 2. 生产1kg铸造多晶硅所需的能耗是（）kWh。

A.30 B.18～40 C.8～15 D.以上都不对 3. 最常用于测试半导体材料电阻率的方法是（）。

A.扩展电阻法 B.四探针法 C.两探针法 D.范德堡法 4. 一般制造一个重量为250～300kg的铸造多晶硅锭需要（）时间。

A.35～45h B.25～35h C.55～65h D.15～25h 5. 用于测试硅片中少数载流子类型的测试是（）。

A.四探针法 B.X射线法 C.整流法 D.显微镜观察法 6. 铸造多晶硅制备目前最常用的方法是（）。

A.布里奇曼法 B.电磁铸锭法 C.浇铸法 D.热交换法 7. 电磁铸锭法说法错误的是（）。

A.熔体与坩埚不直接接触 B.电磁力对硅熔体的作用，可能使硅熔体中掺杂剂的分布更为均匀 C.硅锭中晶粒较细小 D.较少晶体缺陷 8. 硅的熔点约为（）。

A.1200℃ B.800℃ C.2200℃ D.1420℃ 9. 铸造多晶硅的晶粒的大小一般为（）。

A.10cm左右 B.1mm左右 C.100μm左右 D.10mm左右 10. 单晶硅片的电阻率一般控制在（）。

A.2～4·cm左右 B.0.5～2·cm左右 C.0.1～0.3·cm左右 D.1～3·cm左右 二、不定项选择题（共10道试题，共30分。）
1.硅片清洗的作用是（）。

A.提高绝缘性能 B.去除边缘腐蚀时的油污、水气、灰尘 C.降低杂质离子对P-N结性能的影响 D.降低杂质的存在带来的硅片的电阻率不稳定 2. 以下哪些工艺是热交换法制备多晶硅必须的（）。

A.化料 B.晶体生长 C.退火 D.坩锅喷涂 3. 铸造多晶硅相对于直拉单晶硅的优点有（）。

A.材料利用率高 B.能耗小 C.成本低 D.转换效率高 4. 金属杂质的吸杂工艺一般包括（）。

A.升温熔化金属杂质 B.原金属沉淀的溶解 C.金属原子的扩散 D.金属杂质在吸杂点处的重新沉淀 5. 浇铸法的缺点在于（）。

A.熔融和结晶使用不同的坩埚，会导致二次污染 B.有坩埚翻转机构及引锭机构，使得其结构相对较复杂 C.生产效率低 D.能耗高 6. 多晶硅锭的低质量区杂质较多是由于（）。

A.与坩埚接触部分引入了杂质 B.晶粒尺寸较小 C.晶体凝固的分凝作用 D.热应力 7. 太阳电池用单晶硅的切片通常采用（）。

A.外圆切割机 B.内圆切割机 C.线切割 D.带式切割机 8. 按照硅的存在形式，可将硅基太阳电池分为（）。

A.多晶硅太阳电池 B.单晶硅太阳电池 C.非晶硅太阳电池 D.化合物太阳电池 9. 影响铸造多晶硅晶体生长的主要因素包括（）。

A.固液界面 B.热应力 C.来自坩埚的污染等 D.保护气氛 10. 铸造多晶硅的制备方法有（）。

A.布里奇曼法 B.热交换法 C.电磁铸锭法 D.浇铸法 三、判断题（共10道试题，共20分。）
1.目前的技术，大规模生产制造p型掺硼铸造多晶硅、掺镓的p型铸造多晶硅都是没有问题的。

A.错误 B.正确 2. 与高纯石英坩埚相比，高纯石墨坩埚的成本更低，但更可能引入碳污染和金属杂质污染。

A.错误 B.正确 3.硅锭与坩埚壁接触的底部与四周都是晶粒较大的区域。

A.错误 B.正确 4.通常晶体的生长速率越快，生产效率越高，但其温度梯度也越大，最终导致热应力越大，而高的热应力会导致高密度的位错，严重影响材料的质量。

A.错误 B.正确 5.直流光电导衰退法可用于测量少子寿命，不需要接触硅片。

A.错误 B.正确 6.影响铸造多晶硅晶体生长的主要因素是晶粒尺寸、固液界面、热应力、来自坩埚的污染等。

A.错误 B.正确 7.多晶硅锭中晶粒越细小，晶界越少。

A.错误 B.正确 8.浇铸法是很有应用前景的铸造多晶硅生产的新技术。

A.错误 B.正确 9.热交换法的铸锭炉底部不需要水冷。

A.错误 B.正确 10.纯净的晶界也具有电活性，会影响多晶硅的电学性能。

A.错误 B.正确 四、连线题（共10道试题，共30分。）
1. 将化学反应与作用一一对应。

（1）3Si+4HNO3=3SiO2↓+2H2O+4NO↑A.去除硅表面的致密保护膜 （2）SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2OB.碱腐蚀 （3）Si＋H2O+2NaOH=Na2SiO3+2H2↑C.酸腐蚀 （1）A （2）C （3）B 2. 将制备方法与描述一一对应。

（1）布里曼法A.坩埚需升降 （2）热交换法B.固液界面比较平稳 （3）浇铸法C.熔化和结晶在两个不同的坩埚中进行 （1）A （2）B （3）C 3. 将测试方法与作用一一对应。

（1）整流法A.少子寿命 （2）四探针法B.电阻率 （3）光电导衰退法C.导电型号 （1）C （2）B （3）A 4. 将清洗时试剂与作用一一对应。

（1）无机酸A.去除镁、铝、铜、银、金、氧化铝、氧化镁、二氧化硅等杂质 （2）有机溶剂B.对一些难溶物质转化为易溶物质 （3）过氧化氢C.相似相溶 （1）A （2）C （3）B 5. 将各工艺与能耗一一对应。

（1）区熔单晶硅A.8～15kWh/Kg （2）直拉单晶硅B.18～40kWh/Kg （3）铸造多晶硅C.30kWh/Kg （1）C （2）B （3）A 6. 将吸杂工艺与描述一一对应。

（1）磷吸杂A.去除磷硅玻璃，将其中的金属杂质一并去除 （2）铝吸杂B.利用溅射、蒸发等技术制备一薄层，热处理合金化 （3）磷-铝共吸杂C.除杂效果最佳 （1）A （2）C （3）B 7. 将硅片参数与作用一一对应。

（1）BOWA.弯曲度 （2）TTVB.平整度的一种量度 （3）TIRC.总厚度偏差 （1）A （2）C （3）B 8. 将各种硅生产工艺与特点一一对应。

（1）mc-SiA.生产成本最高 （2）cz-SiB.对硅料的要求一般 （3）fz-SiC.转换效率一般最低 （1）C （2）B （3）A 9. 将硅中的各种元素与影响一一对应。

（1）BA.危害较大 （2）OB.有钝化效果 （3）HC.特意加入，形成掺杂 （1）C （2）A （3）B 10. 将抛光工艺与描述一一对应。

（1）机械抛光法A.现代半导体工业中普遍应用 （2）化学抛光法B.采用细磨料颗料 （3）化学－机械抛光法C.硝酸与氢氟酸混合腐蚀液 （1）B （2）C （3）A 04任务 04任务_0001 一、单项选择题（共10道试题，共20分。）
1. 铜铟镓硒薄膜太阳电池最高转换效率的记录（）。

A.25% B.10.1% C.19.4% D.16.7% 2. 二氧化钛的几种晶体结构中最适合用于太阳电池的是（）。

A.金红石 B.锐钛矿 C.板钛矿 D.都差不多 3. 非晶硅的PIN结构的P部分是采用（）形成的。

A.PH3加BH3 B.SiH4加PH3 C.SiH4加B2H6 D.SiH4加BH3 4. 非晶硅的禁带宽度为（）。

A.1.5eV，并且在一定程度上可调 B.1.12eV C.1.6eV D.2.12eV 5. 关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是（）。

A.高的比表面积和大量的孔隙 B.尽可能多的吸附染料 C.晶粒越大越好 D.最大限度的与电解质紧密接触 6. 非晶硅太阳电池的转换效率约为（）。

A.5％ B.20％ C.15％ D.10％ 7. 非晶硅薄膜的厚度约为（）。

A.数百微米 B.数百纳米 C.数十毫米 D.数十微米 8. 锐钛矿相二氧化钛晶体的禁带宽度为（）。

A.2.2eV B.2.8eV C.3.0eV D.3.2eV 9. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（）。

A.非晶硅薄膜 B.多晶硅 C.铜铟镓硒 D.微晶硅薄膜 10. 铟储量最多的国家是（）。

A.中国 B.日本 C.美国 D.俄罗斯 二、不定项选择题（共10道试题，共30分。）
1. 旋涂成膜存在的问题有（）。

A.溶解性 B.挥发性 C.溶剂残留 D.薄膜的均匀性难以保证 2. 化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜的方法有（）。

A.等离子增强化学气相沉积 B.低压化学气相沉积制备多晶硅 C.热丝化学气相沉积制备多晶硅 D.非晶硅晶化制备多晶硅薄膜 3. 辉光放电系统中的I-V特性曲线可分为（）阶段。

A.汤森放电 B.正常放电 C.异常放电 D.电弧放电 4. 可用于多孔纳米晶薄膜的材料有（）。

A.TiO2 B.ZnO C.SnO2 D.Al2O3 5. 常用的多晶硅薄膜的制备方法有（）。

A.利用化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜 B.非晶硅晶化制备 C.将多晶硅片切薄 D.对多晶硅片进行热处理 6. 关于D/A界面说法正确的是（）。

A.电离电势（IP）较小的材料被称为电子施主，相当于无机半导体中的N型材料 B.具有大电子亲和能（EA）的材料被称为作电子受主，相当于无机半导体中的P型材料 C.类似于无机太阳电池中的PN结 D.D/A界面处D型材料和A型材料存在能级差 7. 有机太阳电池产生电流的流程（）。

A.吸收光子 B.产生激子 C.电子空穴分离 D.运输到D/A界面处 8. 关于光致衰减效应说法正确的是（）。

A.简称S-W效应 B.在长期辐照下，其光电导和暗电导同时下降，导致光电转换效率降低 C.在150～200℃热处理又可以恢复原来的状态 D.铸造多晶硅没有光致衰减 9. 染料敏化太阳电池的基本结构包括（）。

A.多孔纳米晶薄膜 B.染料敏化剂 C.电解质 D.对电极 10. 有机太阳电池基本的结构模型有（）。

A.PIN结构 B.单层同异质结结构 C.双层异质结结构 D.单层混合膜异质结结构 三、判断题（共10道试题，共20分。）
1. 有机太阳电池中电离电势（IP）较小的材料被称为电子施主（Donor，简称D型材料），相当于无机半导体中的P型材料。

A.错误 B.正确 2. 非晶硅太阳电池中也存在晶体硅太阳电池中一样的pn节结构。

A.错误 B.正确 3. 非晶硅太阳电池生产出来以后，转换效率不会随时间发生改变。

A.错误 B.正确 4. 高纯硅原料价格增加，对薄膜太阳电池的成本影响不大。

A.错误 B.正确 5. 苝衍生物是一种应用较多的光敏剂和A型材料，在450到600nm波段内具有较强的吸收，在光照条件下稳定性好，成本低。

A.错误 B.正确 6. 单晶硅与多晶硅的物理特性是各向异性，而非晶硅的物理特性是各向异性 A.错误 B.正确 7. 随着非晶硅中氢含量的增加，其能隙宽度从1.5eV可以增加到1.8eV。

A.错误 B.正确 8. 在150～200℃热处理，可以使得因为S-W效应而效率降低的非晶硅太阳电池恢复原来的状态。

A.错误 B.正确 9. PECVD技术即可用于非晶硅薄膜太阳电池的制备，也可用于多晶硅薄膜太阳电池的制备。

A.错误 B.正确 10. 酞菁类化合物是典型的D型有机半导体。

A.错误 B.正确 四、连线题（共10道试题，共30分。）
1. 将以下太阳电池与其特点一一对应。

（1）晶体硅A.很明显的光致衰减 （2）非晶硅薄膜B.与蓄电池共有同种金属元素 （3）碲化镉C.块体 （1）C （2）A （3）B 2. 将以下太阳电池与其特点一一对应。

（1）有机半导体薄膜A.的层状三明治叠层结构 （2）染料敏化太阳电池B.无光致衰减，低成本、制备简单和可以大面积制备 （3）多晶硅薄膜C.良好装饰效果 （1）A （2）C （3）B 3. 将太阳电池与转换效率一一对应。

（1）单晶硅太阳电池A.5.15 （2）非晶硅薄膜太阳电池B.25 （3）有机太阳电池C.9.5 （1）B （2）C （3）A 4. 将以下太阳电池与其特点一一对应。

（1）非晶硅A.吸收系数的最值 （2）多孔纳米晶B.PECVD （3）铜铟镓硒C.锐钛矿 （1）B （2）C （3）A 5. 将有机半导体薄膜制备方法与描述一一对应。

（1）旋转涂层法A.是有机太阳电池具有低成本和高生产率的主要原因 （2）有机气相沉积法B.可得到有机材料和金属电极材料良好接触的界面，减少界面处的截流子流过的损耗，提高了转换效率 （3）丝网印刷技术C.所采用的主要设备为匀胶机 （1）C （2）B （3）A 6. 将化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜方法与描述一一对应。

（1）等离子增强化学气相沉积A.薄膜生长速率高，薄膜结构均匀，一致性高，载流子迁移率高 （2）低压化学气相沉积B.内部含有高密度的微孪晶缺陷，且晶粒尺寸小，载流子迁移率不够大 （3）热丝化学气相沉积C.采用卤硅化合物（如SiF4）或者是硅烷和卤硅化合物的混合气体 （1）C （2）B （3）A 7. 将太阳电池与其禁带宽度一一对应。

（1）非晶硅A.1.5eV （2）铜铟镓硒B.1.04eV （3）碲化镉C.1.45eV （1）A （2）B （3）C 8. 将有机小分子化合物与描述一一对应。

（1）酞菁类化合物A.耐热性非常好，在400℃以下比较稳定 （2）苝衍生物B.最大的不足之处在于比较脆 （3）并五苯C.既具有很高的化学稳定性和耐有机溶剂性，又具有很强的刚性 （1）A （2）C （3）B 9. 将PECVD是充入气体与形成的半导体类型一一对应。

（1）SiH4A.本征 （2）SiH4加PH3B.n型 （3）SiH4加B2H6C.p型 （1）A （2）B （3）C 10. 非晶硅晶化制备多晶硅薄膜方法与描述一一对应 （1）固相晶化A.晶粒尺寸严重影响了多晶硅的性能 （2）激光晶化B.设备复杂、生产成本高，难以实现大规模工业应用 （3）快速热处理晶化C.会引进金属杂质，这些金属对半导体硅的电学性能也将产生致命影响 （1）C （2）B （3）A